Machine de revêtement de métallisation

Tous les avantages du processus de revêtement PVD qui produisent certaines des technologies les plus robustes, les plus brillantes et les plus avancées de notre époque, allant des micropuces aux panneaux solaires, aucun n'est plus important que le fait que les revêtements PVD peuvent être appliqués sans résidus ou sous-produits toxiques. qui dégradent l'environnement de notre planète.

Artisanat de la machine de revêtement de métallisation

Concept de processus de revêtement par pulvérisation cathodique

Le soi-disant revêtement de pulvérisation fait référence au bombardement de la cible avec des particules énergétiques (telles que des ions positifs) dans une chambre à vide, de sorte que les atomes ou les groupes atomiques à la surface de la cible s'échappent et que les atomes échappés forment un film à la surface de la pièce avec la même composition que la cible. , ce procédé de préparation de couches minces est appelé pulvérisation cathodique. A l'heure actuelle, la pulvérisation cathodique est principalement utilisée pour former des couches minces de métal ou d'alliage, notamment pour réaliser des électrodes de composants électroniques et des films réfléchissant l'infrarouge sur des surfaces de verre. En outre, la pulvérisation est également utilisée pour préparer des films minces fonctionnels, tels que des films minces en céramique conductrice transparente In2O3-SnO2 pour les dispositifs d'affichage à cristaux liquides.

Il existe deux méthodes de revêtement par pulvérisation : l'une est appelée pulvérisation par faisceau d'ions, qui consiste à bombarder la surface cible avec un faisceau d'ions dans un état de vide, de sorte que les particules pulvérisées forment un film sur la surface du substrat. Ce processus est relativement coûteux et est principalement utilisé pour préparer des Theother spéciaux s'appelle la pulvérisation cathodique, qui utilise principalement le phénomène de décharge de gaz à basse pression, de sorte que les ions à l'état de plasma bombardent la surface cible et que les particules pulvérisées se déposent sur le substrat. Il adopte une structure d'électrodes à plaques parallèles, une cible de grande surface en matériau membranaire est une cathode et un substrat supportant la base est une anode, qui est installée dans un récipient sous vide de type cloche. Afin de réduire la pollution, la pression dans la cloche a d'abord été pompée à moins de 10-3~10-4Pa, puis remplie d'Ar pour maintenir la pression à 1~10Pa. Une tension de plusieurs milliers de volts est appliquée entre les deux électrodes pour le revêtement par pulvérisation cathodique.

Comparé au revêtement par évaporation, le matériau cible (matériau du film) n'a pas de changement de phase pendant le revêtement par pulvérisation, la composition du composé est stable et l'alliage n'est pas facile à fractionner, de sorte que le matériau du film adapté à la préparation est très large. Comme l'énergie des particules déposées sur le substrat par pulvérisation cathodique est 50 fois supérieure à celle de l'évaporation, elles ont pour effet de nettoyer et de chauffer le substrat, de sorte que le film formé a une forte adhérence. En particulier, le revêtement par pulvérisation permet de contrôler facilement la composition du film. Grâce à la pulvérisation directe ou à la pulvérisation réactive, divers films d'alliages, films composés, films multicouches et films composites avec des surfaces étendues et uniformes peuvent être préparés. Le revêtement par pulvérisation cathodique est facile à réaliser en continu, en fonctionnement automatisé et en production à grande échelle. Cependant, en raison de l'utilisation de haute tension et de gaz pendant la pulvérisation, le dispositif est relativement compliqué, le film mince est facilement affecté par l'atmosphère de pulvérisation et le taux de dépôt du film mince est également faible. De plus, le revêtement par pulvérisation cathodique nécessite de préparer à l'avance des cibles de divers composants, ce qui n'est pas pratique pour charger et décharger la cible, et le taux d'utilisation de la cible n'est pas trop élevé.

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